
国家知识产权局信息显示,深圳大学、深南科微(深圳)光学有限公司申请一项名为“半导体缺陷检测设备、半导体缺陷检测方法”的专利,公开号CN122259590A,申请日期为2026年5月。
专利摘要显示,本申请提供了半导体缺陷检测设备、半导体缺陷检测方法。半导体缺陷检测设备包括光源、纹影显微镜组、成像组件;检测光束射至透镜组件、待测物并形成第一光束,刀口组件接收第一光束,刀口组件还阻挡部分第一光束的光通量并透过第二光束,第二光束经待测物折射形成;成像组件用于接收第二光束并形成纹影图像。本申请利用透镜组件将待测物缺陷处形成的密度差异折射,并利用刀口组件阻挡无关的光通量,增强因待测物缺陷处密度差异折射的光,精准捕捉缺陷引起的光信号变化,再利用成像组件形成纹影图像,以完成待测物的缺陷检测,实现了半导体无损伤快速检测,既提高了半导体缺陷检测的检测效率与检测精度,又避免了造成待测物损伤。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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