国家知识产权局信息显示，深圳大学、深南科微（深圳）光学有限公司申请一项名为“半导体缺陷检测设备、半导体缺陷检测方法”的专利，公开号CN122259590A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供了半导体缺陷检测设备、半导体缺陷检测方法。半导体缺陷检测设备包括光源、纹影显微镜组、成像组件；检测光束射至透镜组件、待测物并形成第一光束，刀口组件接收第一光束，刀口组件还阻挡部分第一光束的光通量并透过第二光束，第二光束经待测物折射形成；成像组件用于接收第二光束并形成纹影图像。本申请利用透镜组件将待测物缺陷处形成的密度差异折射，并利用刀口组件阻挡无关的光通量，增强因待测物缺陷处密度差异折射的光，精准捕捉缺陷引起的光信号变化，再利用成像组件形成纹影图像，以完成待测物的缺陷检测，实现了半导体无损伤快速检测，既提高了半导体缺陷检测的检测效率与检测精度，又避免了造成待测物损伤。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
联丰优配提示：文章来自网络，不代表本站观点。
- 上一篇：投查查配资 每体：热刺无意出售范德芬 他目前受到巴萨和利物浦的关注
- 下一篇：没有了
相关文章
热点资讯
